直流模塊電源的發(fā)展趨勢之--高功率密度、高效率

　　

　　現(xiàn)代通信產(chǎn)品對體積的要求越來越高，這勢必要求模塊電源減小體積、提高功率密度，而提高效率是與之相輔相成的。目前的新型轉(zhuǎn)換及封裝技術(shù)可使電源的功率密度達(dá)到188W/in3，比傳統(tǒng)的電源功率密度增大不止一倍，效率可超過 90%。之所以能達(dá)到這些指標(biāo)，應(yīng)歸功于微電子技術(shù)的發(fā)展使大量高性能的新型器件涌現(xiàn)出來，從而使損耗降低。較典型的是高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFETs)，其在同步

　　整流器中取代了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中使用的二極管，使壓降由0.4V降到0.2V; 功率MOSFET制造商正在開發(fā)導(dǎo)通電阻越來越小的器件，其導(dǎo)通電阻已由180 mΩ降到18 mΩ;高度的硅晶片集成使元件數(shù)目減少2/3以上，結(jié)構(gòu)緊密、相對于分立元件的布局減小了雜散電感和連線電阻。高效率可使功耗相對減少，工作溫度降低，所需的輸入功率減少，也提高了功率密度。

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